Robert Noyce

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na: Navigace, Hledání
Robert Noyce

Robert Noyce Norton (12. prosince 1927 Burlington, Iowa3. června 1990 Austin, Texas), přezdívaný „starosta Silicon Valley“, byl jeden ze dvou vynálezců integrovaného obvodu a jeden ze zakladatelů společností Fairchild Semiconductor (1957) a Intel (1968). Jeho druhá žena Ann Bowers byla viceprezidentka pro lidské zdroje společnosti Apple.

Život[editovat | editovat zdroj]

Robert Noyce se narodil roku 1927 v Burlingtonu. Jeho otec Ralph Brewster Noyce byl reverend. Robert vyrůstal v Grinnellu ve státě Iowa a navštěvoval místní školy. Měl nadání pro matematiku a přírodní vědy. Roku 1949 dokončil studium Grinnell College a roku 1953 získal doktorát z fyziky na Massachusettském technologickém institutu.

Po absolvování Massachusetts Institute of Technology v roce 1953 začal pracovat jako vývojový pracovník u společnosti Philco ve Philadelphii. Roku 1956 odešel do Shockley Semiconductor Laboratory v Mountain View, kterou založil Wiliam Shockley .

Noyce byl jeden z tzv. „osmi zrádců“, kteří roku 1957 odešli do společnosti Fairchild Camera and Instrument a stali se zakladateli polovodičové divize této společnosti, nazvané Fairchild Semiconductor, která se později osamostatnila.

V roce 1959 Noyce vyvinul první integrovaný obvod (americký patent č. 2981877, nazvaný Semiconductor Device and Lead Structure). Nezávisle na něm vyvinul integrovaný obvod také Jack Kilby. Roku 1968 Robert Noyce a Gordon Moore opustili Fairchild Semiconductor založili společnost Intel, kde Noyce působil až do konce života.

Dne 3. června 1990 Noyce utrpěl doma infarkt myokardu téhož dne v nemocnici zemřel.

Patenty[editovat | editovat zdroj]

  • US patent 2875141 – Method and apparatus for forming semiconductor structures (1954),
  • US patent 2929753 – Transistor structure and method (1957),
  • US patent 2959681 – Semiconductor scanning device (1959),
  • US patent 2968750 – Transistor structure and method of making the same (1957),
  • US patent 2971139 – Semiconductor switching device (1959),
  • US patent 2981877 – Semiconductor Device and Lead Structure (1959),
  • US patent 3010033 – Field effect transistor (1958),
  • US patent 3098160 – Field controlled avalanche semiconductive device (1958),
  • US patent 3108359 – Method for fabricating transistors (1959),
  • US patent 3111590 – Transistor structure controlled by an avalanche barrier (1958),
  • US patent 3140206 – Method of making a transistor structure (1957),
  • US patent 3150299 – Semiconductor circuit complex having isolation means (1959),
  • US patent 3183129 – Method of forming a semiconductor (1963),
  • US patent 3199002 – Solid state circuit with crossing leads (1961),
  • US patent 3325787 – Trainable system (1964).

Reference[editovat | editovat zdroj]

V tomto článku byl použit překlad textu z článku Robert Noyce na anglické Wikipedii.