Robert Noyce
| Robert Noyce | |
|---|---|
 | |
| Narození | 12. prosince 1927 Burlington |
| Úmrtí | 3. června 1990 (ve věku 62 let) Austin |
| Příčina úmrtí | infarkt myokardu |
| Alma mater | Grinnell College Massachusettský technologický institut |
| Povolání | fyzik, vynálezce, inženýr, podnikatel a informatik |
| Zaměstnavatel | Fairchild Semiconductor |
| Ocenění | medaile Stuarta Ballantina (1966) IEEE Cledo Brunetti Award (1978) Čestná medaile IEEE (1978) Národní vyznamenání za vědu (1979) Faradayova medaile (1979) … více na Wikidatech |
| Choť | Elizabeth Noyceová (1953–1974) Ann Schmeltz Bowersova (1974–1990) |
| Děti | William B. Noyce Pendred Noyceová Priscilla Noyceová Margaret Noyceová |
| Rodiče | Ralph Brewster Noyce a Harriet May Nortonová |
 multimediální obsah na Commons | |
| Některá data mohou pocházet z datové položky. | |
Robert Noyce Norton (12. prosince 1927 Burlington, Iowa – 3. června 1990 Austin, Texas), přezdívaný „starosta Silicon Valley“, byl jeden ze dvou vynálezců integrovaného obvodu a jeden ze zakladatelů společností Fairchild Semiconductor (1957) a Intel (1968). Jeho druhá žena Ann Bowers byla viceprezidentka pro lidské zdroje společnosti Apple.
Život[editovat | editovat zdroj]
Robert Noyce se narodil roku 1927 v Burlingtonu. Jeho otec Ralph Brewster Noyce byl reverend. Robert vyrůstal v Grinnellu ve státě Iowa a navštěvoval místní školy. Měl nadání pro matematiku a přírodní vědy. Roku 1949 dokončil studium Grinnell College a roku 1953 získal doktorát z fyziky na Massachusettském technologickém institutu.
Po absolvování Massachusetts Institute of Technology v roce 1953 začal pracovat jako vývojový pracovník u společnosti Philco ve Philadelphii. Roku 1956 odešel do Shockley Semiconductor Laboratory v Mountain View, kterou založil Wiliam Shockley .
Noyce byl jeden z tzv. „osmi zrádců“, kteří roku 1957 odešli do společnosti Fairchild Camera and Instrument a stali se zakladateli polovodičové divize této společnosti, nazvané Fairchild Semiconductor, která se později osamostatnila.
V roce 1959 Noyce vyvinul první integrovaný obvod na bázi křemíku (americký patent č. 2981877, nazvaný Semiconductor Device and Lead Structure). Nezávisle na něm v témže roce vyvinul integrovaný obvod na bázi germania Jack Kilby (americký patent č. 3138743, nazvaný Miniaturized electronic circuits). Roku 1968 Robert Noyce a Gordon Moore opustili Fairchild Semiconductor založili společnost Intel, kde Noyce působil až do konce života.
Dne 3. června 1990 Noyce utrpěl doma infarkt myokardu téhož dne v nemocnici zemřel.
Patenty[editovat | editovat zdroj]
- US patent 2875141 – Method and apparatus for forming semiconductor structures (1954),
- US patent 2929753 – Transistor structure and method (1957),
- US patent 2959681 – Semiconductor scanning device (1959),
- US patent 2968750 – Transistor structure and method of making the same (1957),
- US patent 2971139 – Semiconductor switching device (1959),
- US patent 2981877 – Semiconductor Device and Lead Structure (1959),
- US patent 3010033 – Field effect transistor (1958),
- US patent 3098160 – Field controlled avalanche semiconductive device (1958),
- US patent 3108359 – Method for fabricating transistors (1959),
- US patent 3111590 – Transistor structure controlled by an avalanche barrier (1958),
- US patent 3140206 – Method of making a transistor structure (1957),
- US patent 3150299 – Semiconductor circuit complex having isolation means (1959),
- US patent 3183129 – Method of forming a semiconductor (1963),
- US patent 3199002 – Solid state circuit with crossing leads (1961),
- US patent 3325787 – Trainable system (1964).
Reference[editovat | editovat zdroj]
V tomto článku byl použit překlad textu z článku Robert Noyce na anglické Wikipedii.
Externí odkazy[editovat | editovat zdroj]
Obrázky, zvuky či videa k tématu Robert Noyce na Wikimedia Commons
