Robert Noyce

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na: Navigace, Hledání
Robert Noyce
Narození 12. prosince 1927
Burlington
Úmrtí 3. června 1990 (ve věku 62 let)
Austin
Alma mater Grinnell College
Massachusettský technologický institut
Povolání fyzik, vynálezce, inženýr, byznysmen a informatik
Zaměstnavatel Fairchild Semiconductor
Ocenění IEEE Cledo Brunetti Award (1978)
IEEE Medal of Honor (1978)
Faradayova medaile (1979)
Národní medaile za technologii a inovace (1987)
Harold Pender Award
… více na Wikidatech
Manžel(ka) Elizabeth Noyceová (19531974)
Ann Schmeltz Bowersova (19741990)
Děti William B. Noyce, Pendred Noyceová, Priscilla Noyceová a Margaret Noyceová
Rodiče Ralph Brewster Noyce a Harriet May Nortonová
Některá data mohou pocházet z datové položky.

Robert Noyce Norton (12. prosince 1927 Burlington, Iowa3. června 1990 Austin, Texas), přezdívaný „starosta Silicon Valley“, byl jeden ze dvou vynálezců integrovaného obvodu a jeden ze zakladatelů společností Fairchild Semiconductor (1957) a Intel (1968). Jeho druhá žena Ann Bowers byla viceprezidentka pro lidské zdroje společnosti Apple.

Život[editovat | editovat zdroj]

Robert Noyce se narodil roku 1927 v Burlingtonu. Jeho otec Ralph Brewster Noyce byl reverend. Robert vyrůstal v Grinnellu ve státě Iowa a navštěvoval místní školy. Měl nadání pro matematiku a přírodní vědy. Roku 1949 dokončil studium Grinnell College a roku 1953 získal doktorát z fyziky na Massachusettském technologickém institutu.

Po absolvování Massachusetts Institute of Technology v roce 1953 začal pracovat jako vývojový pracovník u společnosti Philco ve Philadelphii. Roku 1956 odešel do Shockley Semiconductor Laboratory v Mountain View, kterou založil Wiliam Shockley .

Noyce byl jeden z tzv. „osmi zrádců“, kteří roku 1957 odešli do společnosti Fairchild Camera and Instrument a stali se zakladateli polovodičové divize této společnosti, nazvané Fairchild Semiconductor, která se později osamostatnila.

V roce 1959 Noyce vyvinul první integrovaný obvod na bázi křemíku (americký patent č. 2981877, nazvaný Semiconductor Device and Lead Structure). Nezávisle na něm v témže roce vyvinul integrovaný obvod na bázi germania Jack Kilby (americký patent č. 3138743, nazvaný Miniaturized electronic circuits). Roku 1968 Robert Noyce a Gordon Moore opustili Fairchild Semiconductor založili společnost Intel, kde Noyce působil až do konce života.

Dne 3. června 1990 Noyce utrpěl doma infarkt myokardu téhož dne v nemocnici zemřel.

Patenty[editovat | editovat zdroj]

  • US patent 2875141 – Method and apparatus for forming semiconductor structures (1954),
  • US patent 2929753 – Transistor structure and method (1957),
  • US patent 2959681 – Semiconductor scanning device (1959),
  • US patent 2968750 – Transistor structure and method of making the same (1957),
  • US patent 2971139 – Semiconductor switching device (1959),
  • US patent 2981877 – Semiconductor Device and Lead Structure (1959),
  • US patent 3010033 – Field effect transistor (1958),
  • US patent 3098160 – Field controlled avalanche semiconductive device (1958),
  • US patent 3108359 – Method for fabricating transistors (1959),
  • US patent 3111590 – Transistor structure controlled by an avalanche barrier (1958),
  • US patent 3140206 – Method of making a transistor structure (1957),
  • US patent 3150299 – Semiconductor circuit complex having isolation means (1959),
  • US patent 3183129 – Method of forming a semiconductor (1963),
  • US patent 3199002 – Solid state circuit with crossing leads (1961),
  • US patent 3325787 – Trainable system (1964).

Reference[editovat | editovat zdroj]

V tomto článku byl použit překlad textu z článku Robert Noyce na anglické Wikipedii.