Robert Noyce

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na: Navigace, Hledání
Robert Noyce
Robert Noyce with Motherboard 1959.png
Narození 12. prosince 1927
Burlington
Úmrtí 3. června 1990 (ve věku 62 let)
Austin
Alma mater Grinnell College
Massachusettský technologický institut
Zaměstnavatel Fairchild Semiconductor
Ocenění medaile Stuarta Ballantina (1966)
IEEE Cledo Brunetti Award (1978)
IEEE Medal of Honor (1978)
Národní vyznamenání za vědu (1979)
Faradayova medaile (1979)
… více na Wikidatech
Manžel(ka) Elizabeth Noyceová (19531974)
Ann Schmeltz Bowersova (19741990)
Děti William B. Noyce
Pendred Noyceová
Priscilla Noyceová
Margaret Noyceová
Rodiče Ralph Brewster Noyce a Harriet May Nortonová
Některá data mohou pocházet z datové položky.

Robert Noyce Norton (12. prosince 1927 Burlington, Iowa3. června 1990 Austin, Texas), přezdívaný „starosta Silicon Valley“, byl jeden ze dvou vynálezců integrovaného obvodu a jeden ze zakladatelů společností Fairchild Semiconductor (1957) a Intel (1968). Jeho druhá žena Ann Bowers byla viceprezidentka pro lidské zdroje společnosti Apple.

Život[editovat | editovat zdroj]

Robert Noyce se narodil roku 1927 v Burlingtonu. Jeho otec Ralph Brewster Noyce byl reverend. Robert vyrůstal v Grinnellu ve státě Iowa a navštěvoval místní školy. Měl nadání pro matematiku a přírodní vědy. Roku 1949 dokončil studium Grinnell College a roku 1953 získal doktorát z fyziky na Massachusettském technologickém institutu.

Po absolvování Massachusetts Institute of Technology v roce 1953 začal pracovat jako vývojový pracovník u společnosti Philco ve Philadelphii. Roku 1956 odešel do Shockley Semiconductor Laboratory v Mountain View, kterou založil Wiliam Shockley .

Noyce byl jeden z tzv. „osmi zrádců“, kteří roku 1957 odešli do společnosti Fairchild Camera and Instrument a stali se zakladateli polovodičové divize této společnosti, nazvané Fairchild Semiconductor, která se později osamostatnila.

V roce 1959 Noyce vyvinul první integrovaný obvod na bázi křemíku (americký patent č. 2981877, nazvaný Semiconductor Device and Lead Structure). Nezávisle na něm v témže roce vyvinul integrovaný obvod na bázi germania Jack Kilby (americký patent č. 3138743, nazvaný Miniaturized electronic circuits). Roku 1968 Robert Noyce a Gordon Moore opustili Fairchild Semiconductor založili společnost Intel, kde Noyce působil až do konce života.

Dne 3. června 1990 Noyce utrpěl doma infarkt myokardu téhož dne v nemocnici zemřel.

Patenty[editovat | editovat zdroj]

  • US patent 2875141 – Method and apparatus for forming semiconductor structures (1954),
  • US patent 2929753 – Transistor structure and method (1957),
  • US patent 2959681 – Semiconductor scanning device (1959),
  • US patent 2968750 – Transistor structure and method of making the same (1957),
  • US patent 2971139 – Semiconductor switching device (1959),
  • US patent 2981877 – Semiconductor Device and Lead Structure (1959),
  • US patent 3010033 – Field effect transistor (1958),
  • US patent 3098160 – Field controlled avalanche semiconductive device (1958),
  • US patent 3108359 – Method for fabricating transistors (1959),
  • US patent 3111590 – Transistor structure controlled by an avalanche barrier (1958),
  • US patent 3140206 – Method of making a transistor structure (1957),
  • US patent 3150299 – Semiconductor circuit complex having isolation means (1959),
  • US patent 3183129 – Method of forming a semiconductor (1963),
  • US patent 3199002 – Solid state circuit with crossing leads (1961),
  • US patent 3325787 – Trainable system (1964).

Reference[editovat | editovat zdroj]

V tomto článku byl použit překlad textu z článku Robert Noyce na anglické Wikipedii.