Síran antimonitý
| Síran antimonitý | |
|---|---|
 | |
| Obecné | |
| Systematický název | Síran antimonitý |
| Anglický název | Antimony sulfate |
| Sumární vzorec | Sb2(SO4)3 |
| Identifikace | |
| Registrační číslo CAS | 7446-32-4 |
| PubChem | 24010 |
| SMILES | [SbH3+3].[SbH3+3].[O-]S(=O)(=O)[O-].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O |
| InChI | 1S/3H2O4S.2Sb/c3*1-5(2,3)4;;/h3*(H2,1,2,3,4);;/q;;;2*+3/p-6 |
| Vlastnosti | |
| Molární hmotnost | 531,7078 g/mol |
| Hustota | 3,6246 g·cm−3 |
| Rozpustnost ve vodě | rozpustný |
| Bezpečnost | |
 GHS07  GHS09 Varování[1] | |
Některá data mohou pocházet z datové položky. | |
Síran antimonitý je hygroskopická chemická sloučenina se vzorcem Sb2(SO4)3.[2]
Struktura[editovat | editovat zdroj]
Pevný síran antimonitý obsahuje nekonečný žebřík tvořený tetraedry SO4 a trigonálními pyramidami SbO3, ty jsou propojeny vrcholy. Někdy se popisuje jako směsný oxid Sb2O3·3SO3.[3]
Příprava[editovat | editovat zdroj]
Získává se reakcí kovového antimonu, oxidu antimonitého, sulfidu antimonitého nebo chloridu antimonylu s horkou kyselinou sírovou.
- 2 Sb + 6 H2SO4 → Sb2(SO4)3 + 3 SO2 + 6 H2O
Využití[editovat | editovat zdroj]
Díky své rozpustnosti se využívá pro dopování v polovodičovém průmyslu[4] a při výrobě výbušnin a ohňostrojů.[5]
Odkazy[editovat | editovat zdroj]
Reference[editovat | editovat zdroj]
V tomto článku byl použit překlad textu z článku Antimony sulfate na anglické Wikipedii.
- ↑ a b Antimony sulfate. pubchem.ncbi.nlm.nih.gov [online]. PubChem [cit. 2021-05-24]. Dostupné online. (anglicky)
- ↑ GREENWOOD, N.N.; EARNSHAW, A. Chemie prvků. Praha: Informatorium, 1993. 1635 s. ISBN 80-85427-38-9. S. 721.
- ↑ WELLS, A. F. (ALEXANDER FRANK), 1912-. Structural inorganic chemistry. 5. vyd. Oxford [Oxfordshire]: Clarendon Press, 1984. xxxi, 1382 pages, 7 unnumbered pages of plates s. Dostupné online. ISBN 0198553706, ISBN 9780198553700. OCLC 8866491
- ↑ Method of forming phase change layer, method of manufacturing a storage node using the same, and method of manufacturing phase change memory device using the same. Původci vynálezu: Youn-seon KANG, Kae-dong BACK, Woong-chul SHIN. United States. Patentový spis 20080156651. 2008-07-03. Dostupné: <online> [cit. 2023-10-08].
- ↑ ULLMANN, FRITZ, 1875-1939. Ullmann's encyclopedia of industrial chemistry. 5th, completely rev. ed. vyd. Weinheim, Federal Republic of Germany: VCH volumes <A1-A28, B1-B8> s. ISBN 0895731517, ISBN 9780895731517. OCLC 11469727 S. 70.