Arsenid gallitý

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na navigaci Skočit na vyhledávání
Arsenid gallitý
Základní buňka GaAs
Základní buňka GaAs
Obecné
Systematický název Arsenid gallitý
Sumární vzorec GaAs
Vzhled šedé krychlové krystaly
Identifikace
Registrační číslo CAS
Vlastnosti
Molární hmotnost 144,645 g/mol
Teplota tání 1 238 °C (1 511 K)
Teplota varu 290 °C (1 013 hPa, 100% kyselina)
310-335 °C (1 013 hPa, 98% kyselina)
Rozpustnost ve vodě < 0,1 g/100 cm3
Není-li uvedeno jinak, jsou použity
jednotky SI a STP (25 °C, 100 kPa).

Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků.

Příprava a chemické vlastnosti[editovat | editovat zdroj]

Arsenid gallitý lze připravit syntézou z prvků, čehož se v průmyslu často využívá.[1]

  1. pěstování krystalu v horizontální peci (Bridgman-Stockbargerova metoda), kdy páry gallia a arsenu reagují a deponují se na povrchu zárodečného krystalu v chladnější části pece
  2. LEC metoda (Czochralski)

Teoreticky je možné připravit arsenid gallitý také reakcí arsanu a gallia:

2 AsH3 + 2 Ga → 2 GaAs + 3 H2.

Alternativní metody výroby GaAs jsou[1][2]:

  1. reakce plynného gallia a chloridu arsenitého:
2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2
  1. MOCVD reakce trimethylgallia a arsanu
Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4

Oxidace GaAs probíhá již na vzduchu, tím dochází ke zhoršení vlastností polovodiče. Povrch lze pasivovat depozicí kubického sulfidu gallnatého pomocí organosulfidů gallia.[3]

Odkazy[editovat | editovat zdroj]

Reference[editovat | editovat zdroj]

  1. a b S. J. Moss, A. Ledwith (1987) The Chemistry of the Semiconductor Industry, Springer, ISBN 0-216-92005-1
  2. Lesley Smart, Elaine A. Moore, (2005), Solid State Chemistry: An Introduction ,CRC, ISBN 0-7487-7516-1
  3. Chemical vapor deposition from single organometallic precursors, A. R. Barron, M. B. Power, A. N. MacInnes, A. F.Hepp, P. P. Jenkins, US Patent 5300320 (1994)

Literatura[editovat | editovat zdroj]

Externí odkazy[editovat | editovat zdroj]

V tomto článku byl použit překlad textu z článku Gallium(III) arsenide na anglické Wikipedii.