BSI CMOS

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na: Navigace, Hledání
Struktura BSI CMOS čipu, kde je oproti klasickému CMOS fotocitlivá vrstva přesunuta za tranzistory a kovové obvody

CMOS snímač se zpětným osvětlením, zkráceně BSI CMOS (z ang. BackSide-Illumination). Jde o technologii upravující stávající způsob výroby fotocitlivých CMOS čipů. Ve standardních CMOS čipech je totiž fotocitlivá vrstva uložena až za tranzistory a kovovými obvody. To způsobuje, že na fotocitlivou vrstu dopadá méně světla, což zapříčinilo jejich vytlačení CCD čipy.

Vlastnosti[editovat | editovat zdroj]

Tato technologie posouvá tranzistory a kovové obvody za fotocitlivou vrstvu. Což řádově zlepšilo citlivost snímače. První funkční čip byl vytvořen v roce 2007 firmou OmniVision Technologies, nebyl však masově rozšířen z důvodu technologické náročnosti výroby a vysoké ceně. Avšak v roce 2009 přišla Sony s čipem Exmor R, který rozšířila ve svých produktech, následoval i Apple, který dal do fotoaparátu svého iPhone 4 BSI CMOS čip od OmniVision Technologies. Dnes již rozšířen i v oblasti kompaktních fotoaparátů. Do budoucna se očekává, že BSI CMOS čipy vytlačí dnes masově rozšířené CCD.

Výhody[editovat | editovat zdroj]

  • Vysoká citlivost snímače
  • Levnější a jednodušší výroba než u CCD
  • Čip je velmi rychlý
  • Malý rozměr
  • Nižší spotřeba

Nevýhody[editovat | editovat zdroj]

  • Zpětné osvětlení může způsobit vyšší šum
  • Temný proud“ (obvodem protéká proud i když není snímač osvětlen)

Související články[editovat | editovat zdroj]