Sziklailovo zapojení

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie

Sziklailovo zapojení je zapojení dvou bipolárních tranzistorů, které se vyznačuje velkým proudovým zesílením. Na rozdíl od podobného Darlingtonova zapojení vykazuje nižší zkreslení a stabilnější zesílení při změnách teploty. Jeho oblast využití je stejná jako pro Darligtonovo zapojení, tedy zejména koncové stupně zesilovačů.[1][2]

Popis zapojení[editovat | editovat zdroj]

Sziklailovo zapojení lze vytvořit ze dvou tranzistorů o opačné polaritě (tedy vždy jeden NPN a PNP, komplementární tranzistory). Výsledné chování je dáno typem tranzistoru Q1. Báze tranzistoru Q1 je bází celého takto vytvořeného "supertranzistoru" a emitor tranzistoru Q1 ve spojení s kolektorem tranzistoru Q2 vytváří celkový emitor. Kolektor tranzistoru Q1 je spojen s bází tranzistoru Q2 a konečně emitor tranzistoru Q2 je kolektorem celého zapojení. Celkové zesílení Szikaliova zapojení je prakticky stejné (ve skutečně nepatrně nižší) jako u zapojení Darligtonova:[1]

Odkazy[editovat | editovat zdroj]

Reference[editovat | editovat zdroj]

  1. a b MALÍK, Luděk. Optimalizace napěťového zesilovače. Brno, 2020 [cit. 2022-05-12]. Bakalářská práce. Vysoké učení technické v Brně - Fakulta elektrotechnická. Vedoucí práce Ing. Soňa Šedivá, Ph.D.. Dostupné online. [nedostupný zdroj]
  2. WEISZ, Ondřej. Koncový stupeň s tranzistory [online]. Střední odborné učiliště elektrotechnické Vejprnická 56 Plzeň [cit. 2022-05-12]. Dostupné online. 

Související články[editovat | editovat zdroj]