Darlingtonovo zapojení

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na navigaci Skočit na vyhledávání

Darlingtonovo zapojení je zapojení dvou bipolárních tranzistorů, které se vyznačuje velkým proudovým zesílením. Využívá se například při konstrukci zesilovačů, zejména v jejich koncových stupních, kde je potřeba velké proudové zesílení, a tedy velký vstupní odpor. Nevýhodou tohoto zapojení je výsledné napětí mezi bází a emitorem, které je součtem napětí mezi bází a emitorem obou tranzistorů.[1][2]

Popis zapojení[editovat | editovat zdroj]

Darlingtonovo zapojení lze vytvořit ze dvou tranzistorů o stejné polaritě (tedy dva NPN nebo dva PNP). Báze tranzistoru Q1 je bází celého takto vytvořeného "supertranzistoru" a emitor tranzistoru Q1 je spojen s bází tranzistoru Q2. Kolektory tranzistorů Q1 a Q2 jsou spojeny a tvoří kolektor celého tranzistoru a konečně emitor tranzistoru Q2 je emitorem celého zapojení. Celkové proudové zesílení β je rovno:[1][2]

Odkazy[editovat | editovat zdroj]

Reference[editovat | editovat zdroj]

  1. a b MALÍK, Luděk. Optimalizace napěťového zesilovače. Brno, 2020 [cit. 2022-05-12]. Bakalářská práce. Vysoké učení technické v Brně - Fakulta elektrotechnická. Vedoucí práce Ing. Soňa Šedivá, Ph.D.. Dostupné online.
  2. a b HOSPODKA, Jiří. Darlingtonovo zapojení [online]. Fakulta elektrotechnická ČVUT [cit. 2022-05-12]. Dostupné online. 

Související články[editovat | editovat zdroj]

Externí odkazy[editovat | editovat zdroj]