Flash paměť: Porovnání verzí
m robot změnil: ro:Memorie flash |
mBez shrnutí editace |
||
| Řádek 1: | Řádek 1: | ||
{{Různé významy|tento=čipech paměti typu RAM|druhý=zařízeních pro přenost dat|stránka=USB flash disk}} |
{{Různé významy|tento=čipech paměti typu RAM|druhý=zařízeních pro přenost dat|stránka=USB flash disk}} |
||
[[Image:Phoenix bios.jpg|thumb|'''Flash paměť''' s naprogramovaným [[BIOS]]em]] |
[[Image:Phoenix bios.jpg|thumb|'''Flash paměť''' s naprogramovaným [[BIOS]]em]] |
||
'''Flash paměť''' (nebo jen '''flash''') je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná paměť |
'''Flash paměť''' (nebo jen '''flash''') je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná (zapisovatelná) paměť s [[Elektronická_paměť#Podle_p.C5.99.C3.ADstupu |libovolným přístupem]]. Paměť je vnitřně organizována po blocích a na rozdíl od pamětí typu [[EEPROM]], lze programovat každý blok samostatně (obsah ostatních bloků je zachován). Paměť se používá jako paměť typu [[ROM]] např. pro uložení [[firmware]] (např. ve [[embedded systém|vestavěných zařízeních]]). Výhodou této paměti je, že ji lze znovu naprogramovat (např. přeprogramování novější verzí firmware) bez vyjmutí ze zařízení s použitím minima pomocných [[integrovaný obvod|obvodů]]. |
||
==Použití flash paměti == |
==Použití flash paměti == |
||
Verze z 24. 9. 2009, 20:01
Flash paměť (nebo jen flash) je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná (zapisovatelná) paměť s libovolným přístupem. Paměť je vnitřně organizována po blocích a na rozdíl od pamětí typu EEPROM, lze programovat každý blok samostatně (obsah ostatních bloků je zachován). Paměť se používá jako paměť typu ROM např. pro uložení firmware (např. ve vestavěných zařízeních). Výhodou této paměti je, že ji lze znovu naprogramovat (např. přeprogramování novější verzí firmware) bez vyjmutí ze zařízení s použitím minima pomocných obvodů.
Použití flash paměti
Flash paměť se používá jako výměnné (přenosné) datové médium (vnější pamět) ve formě paměťových karet
Flash paměť se používá i v discích Solid State SSD jako vestavěná paměť, kde ji označujeme jako paměťové technologické zařízení Memory Technology Device (MTD).
Princip zápisu a čtení
Data jsou ukládána v poli tranzistorů (plovoucí brány), zvaných „buňky“, každá z nich obvykle uchovává 1 bit informace.
Jedna brána je kontrolní brána (CG-control gate) druhá je plovoucí brána (FG-floating gate) navzájem izolované vrstvou oxidu. Protože je FG izolovaný jeho izolační vrstvou oxidu, každé elektrony na něj přivedené jsou „uvězněny“ a tím pádem je uložena informace.
Když jsou na FG nějaké elektrony, tak modifikují (částečně ruší) elektrické pole přicházející z CG, což modifikuje prahové napětí (Vt) buňky. Buňka je čtená umístěním specifického elektrického napětí na CG, elektrický proud pak buď teče, nebo neteče, a to v závislosti na Vt buňky, které je závislé na počtu elektronů na FG. Tato přítomnost nebo nepřítomnost elektrického proudu je přeložena na 1 a 0, představující uložená data.
Flash buňka je naprogramovaná (nastavená na specifickou hodnotu) spuštěním toku elektronů ze zdroje do odvodu. Přivedení velkého napětí na CG pak poskytne dostatečně silné elektrické pole pro jejich vysátí na FG. Pro vymazání flash buňky je velký napěťový rozdíl přiveden mezi CG a zdroj, což odvede elektrony pryč skrz kvantový tunel. Současné flash paměti jsou rozdělené do vymazatelných částí nazývaných buď bloky, nebo sektory. Všechny paměťové buňky v rámci jednoho bloku musí být vymazány současně.
V dnešní době se této technologie využívá spíše na kapesní přehrávače MP3 a MP4. Ty díky své velikosti a velké paměti vytlačily dříve používané walkmany a diskmany.