Soubor:CMOS fabrication process.svg
Velikost tohoto PNG náhledu tohoto SVG souboru: 141 × 599 pixelů. Jiná rozlišení: 56 × 240 pixelů | 113 × 480 pixelů | 180 × 768 pixelů | 241 × 1 024 pixelů | 481 × 2 048 pixelů | 512 × 2 176 pixelů.
Původní soubor (soubor SVG, nominální rozměr: 512 × 2 176 pixelů, velikost souboru: 7 KB)
Historie souboru
Kliknutím na datum a čas se zobrazí tehdejší verze souboru.
Datum a čas | Náhled | Rozměry | Uživatel | Komentář | |
---|---|---|---|---|---|
současná | 9. 10. 2011, 18:29 | 512 × 2 176 (7 KB) | Cmglee | {{Information |Description ={{en|1=Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram is |
Využití souboru
Tento soubor používá následující stránka:
Globální využití souboru
Tento soubor využívají následující wiki:
- Využití na ca.wikipedia.org
- Využití na en.wikipedia.org
- Využití na fa.wikipedia.org
- Využití na fi.wikipedia.org
- Využití na id.wikipedia.org
- Využití na it.wikipedia.org
- Využití na ja.wikipedia.org
- Využití na pt.wikipedia.org
- Využití na sh.wikipedia.org
- Využití na sr.wikipedia.org
- Využití na www.wikidata.org
- Využití na zh.wikipedia.org