SRAM

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na: Navigace, Hledání

Statická paměť, nebo také SRAM (z anglického Static Random Access Memory) je označení pro polovodičovou paměť, která k uchování svých dat nepotřebuje jejich periodickou obnovu (na rozdíl od dynamické paměti DRAM).

Rozdíly DRAM a SRAM[editovat | editovat zdroj]

  • Paměť DRAM potřebuje periodickou obnovu, neboť je realizována pomocí náboje v kondenzátoru, který se postupně vybíjí. Naproti tomu paměť SRAM je realizována jako bistabilní klopný obvod, který pro uchování svého stavu žádnou obnovu nepotřebuje. Tento bistabilní klopný obvod je však konstrukčně složitější než paměťová buňka dynamické paměti. Proto má při stejné hustotě integrace paměť SRAM mnohem menší kapacitu než DRAM. Konkrétně pro zapamatování 1 bitu informace je třeba v technologii SRAM 6 tranzistorů (viz obrázek), zatímco v paměti typu DRAM je 1 bit informace uložen pomocí jediného tranzistoru. Jinými slovy je SRAM o stejné kapacitě dražší než DRAM.
  • Paměť SRAM je rychlejší než DRAM
  • Paměť SRAM má v klidovém stavu menší spotřebu než DRAM, neboť není potřeba obnovovat náboj v kondenzátorech.

Princip SRAM[editovat | editovat zdroj]

6 tranzistorová buňka SRAM na principu CMOS

Odkazy[editovat | editovat zdroj]