Fototranzistor
Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Tento článek potřebuje úpravy. Můžete Wikipedii pomoci tím, že ho vylepšíte. Jak by měly články vypadat, popisuje stránka Vzhled a styl, konkrétní problémy tohoto článku mohou být specifikovány na diskusní stránce.
Fototranzistor je polovodičová elektrotechnická součástka.
Dopadajícím zářením do kolektorového PN přechodu se otevře přechod mezi bází a emitorem. Tranzistor se otevře a prochází jím proud z připojeného zdroje. Průchod nosičů náboje lze řídit velikostí dopadajícího záření.
Pro zvětšení citlivosti se tranzistory vyrábějí v tzv. Darlingtonově zapojení. Nevýhodou takovýchto tranzistorů je poměrně nízká rychlost působení, která znemožňuje, aby fototranzistory pracovaly s frekvencí vyšší než 50 kHz. Pro vyšší frekvence se používají fototranzistory řízené elektrickým polem.
Fototranzistor je bipolární křemíkový tranzistor, jehož emitorový přechod je přístupný světlu. Zapojuje se společným emitorem, vnější zdroj se připojuje mezi kolektor a emitor tak, aby kolektorový přechod byl polarizován závěrně. Báze zpravidla nebývá vyvedena. Princip spočívá v tom, že emitorový přechod je otvírán osvětlením, počet uvolněných nosičů se zvětšuje úměrně s osvětlením a je zesilován jako proud báze v bipolárním tranzistoru. Vlivem tohoto zesilovacího účinku mají fototranzistory větší citlivost na osvětlení než fotodiody. Neozářeným fototranzistorem prochází kolektorový proud, zvaný proud za temna I0, který je určen zbytkovým proudem tranzistoru ICE0. Voltampérové charakteristiky mají tvar výstupních charakteristik bipolárního tranzistoru, parametrem je zde namísto proudu báze osvětlení E.
[editovat] Značení
 |
Schématická značka fototranzistoru |
