DRAM

Z Wikipedie, otevřené encyklopedie
Skočit na: Navigace, Hledání
Paměťová buňka DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) je druh počítačové paměti, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (Gate) tranzistoru typu MOS. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky - bitu.

V praxi byly běžné typy DRAM nahrazeny modernějšími synchronními typy SDRAM a DDR SDRAM.

Charakteristiky[editovat | editovat zdroj]

  • Paměť typu DRAM je destruktivní při čtení. To znamená, že při každém přečtení se data z paměti vymažou. Avšak data se ihned po přečtení uloží do vyrovnávací paměti, odkud se okamžitě zase obnoví. Uživatel tedy samozřejmě o svá data nepřijde.
  • I když je paměť připojena ke zdroji elektrického napětí, dochází v každé buňce neustále k pomalému vybíjení náboje. Proto paměť typu DRAM vyžaduje pravidelné obnovení elektrickým proudem, t.j. opětovné nabíjení parazitní kapacity tzv. refresh.
  • Dynamické paměti se vyznačují šestinásobně větší hustotou zaznamenané informace oproti statickým pamětím SRAM což má za následek nižší cenu při vyšší kapacitě.
  • Na rozdíl od SRAM mají kvůli potřebě stálého obnovování nezanedbatelnou spotřebu energie i když se k nim nepřistupuje (nedochází k zápisu ani ke čtení).
  • Paměť má ve srovnání s SRAM delší přístupový čas.

Konstrukce[editovat | editovat zdroj]

Princip operace čtení pro jednoduché pole 4x4.

Výhoda DRAM spočívá v její konstrukční jednoduchosti: pouze jeden tranzistor a jeden kondenzátor pro jeden bit, namísto čtyř až šesti tranzistorů u SRAM. To umožňuje DRAM dosáhnout vysoké hustoty. Na rozdíl od paměti flash je DRAM volatilní (nestálá) a ztrácí tak rychle svá data, pokud je odstřižena od přísunu energie. Tranzistory a kondenzátory jsou extrémně malé – na jeden paměťový čip se jich vejdou miliardy. DRAM je většinou uspořádána do obdélníkové řady paměťových buněk. Obrázek vpravo ukazuje jednoduchý příklad matice s 4 buňkami na výšku a 4 na šířku, moderní matice jich však mají tisíce.

Čtení a zápis[editovat | editovat zdroj]

Čtení[editovat | editovat zdroj]

Čtení z paměti neprobíhá tak, že bychom paměti udali adresu a ona vrátila bit, který je na ní uložen. Z technologických důvodů se čtení z paměti skládá ze 2 operací - "dílčí čtení" a "dílčí zápis". Při dílčím čtení se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Při tom dochází k vymazání dat (o tom podrobněji v odstavci Charakteristiky). Přečtený řádek se poté obnoví tzv. dílčím zápisem, při kterém se informace uloží na své původní místo.

Zápis[editovat | editovat zdroj]

I zápis do paměti se skládá ze stejných 2 operací jako čtení. Nejprve se provede dílčí čtení, při kterém se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Poté se ve vyrovnávací paměti změní požadované bity, které se mají do paměti zapsat a následně se při dílčím zápisu celý řádek z vyrovnávací paměti obnoví na původní adresu.

Odkazy[editovat | editovat zdroj]

Externí odkazy[editovat | editovat zdroj]